Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общей базой, если
(*ответ*) база является общим электродом для источников напряжения
эмиттер является общим электродом для источников напряжения
коллектор является общим электродом для источников напряжения
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим коллектором, если
(*ответ*) коллектор является общим электродом для источников напряжения
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением
база является общим электродом для источников напряжения
эмиттер является общим электродом для источников напряжения
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если
(*ответ*) эмиттер является общим электродом для источников напряжения
коллектор является общим электродом для источников напряжения
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением
база является общим электродом для источников напряжения
Тепловой генерацией определяется
(*ответ*) концентрация неосновных носителей заряда
концентрация основных носителей заряда
напряженность поля р-n перехода
обратный ток
Тепловой пробой имеет место при (в)
(*ответ*) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
р-n-переходах с высокоомной базой
р-n-переходах с низкоомной базой
достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле
Тепловые фотоприёмники
(*ответ*) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время
используют внешний или внутренний фотоэффект
преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы
полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов
Тепловым называют ток, образованный
(*ответ*) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода
концентрацией основных носителей заряда р-n перехода
перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными
перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными
Термогенерация в области p-n-перехода оказывает существенное влияние на ток потому, что
(*ответ*) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен
область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен
при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости
напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении
Тиристорами называют полупроводниковые приборы
(*ответ*) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов
усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем
с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током
Ток утечки на входе интегральных схем - это
(*ответ*) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке
Ток утечки на выходе интегральных схем - это
(*ответ*) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах
значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке
выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы