При высоких частотах сигнала в транзисторе
(*ответ*) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами
канал образуется под воздействием электрического поля
значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока
значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения
При отсутствии сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся в
(*ответ*) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания
закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания
открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания
открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания
При прямом включении в p-n переходе
(*ответ*) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U
(*ответ*) дрейфовый поток уменьшается
(*ответ*) диффузный увеличится
потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U
При тепловом пробое
(*ответ*) разрушается кристаллическая структура полупроводника
р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность
р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность
р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения
При электрическом пробое р-n переход
(*ответ*) не разрушается и сохраняет работоспособность
разрушается
не разрушается, но не сохраняет работоспособность
перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения
Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя при
(*ответ*) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока
прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока
обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
Пробоем перехода называют резкое
(*ответ*) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от
(*ответ*) наличия примесей
(*ответ*) температуры
атмосферного давления
состава атмосферы
Простой светопровод выполняется в виде
(*ответ*) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется
(*ответ*) генерацией
рекомбинацией
регенерацией
ионизацией
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
(*ответ*) рекомбинацией
генерацией
регенерацией
ионизацией
Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда
(*ответ*) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении
оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном
в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном