Инверсным режим работы транзистора называют, когда
(*ответ*) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора
оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном
в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном
Индикаторы - это
(*ответ*) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики
фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом
Инжекцией называется
(*ответ*) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными
выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода
перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными
перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными
Инжекция начинается, когда
(*ответ*) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении
напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении
резко изменяется режим работы перехода
увеличивается дифференциальное сопротивление перехода
Интегральная схема представляет собой
(*ответ*) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле
электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода
полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением
активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля
Истоком называют
(*ответ*) контакт, через который носители заряда входят в канал
часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
контакт, через который носители заряда вытекают
общий электрод от контактов областей
Канал транзистора - это
(*ответ*) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
контакт, через который носители заряда входят в канал
контакт, через который носители заряда вытекают
общий электрод от контактов областей
Коллектор - это
(*ответ*) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
Концентрация основных носителей в полупроводнике
(*ответ*) определяется концентрацией примеси
(*ответ*) практически не зависит от температуры
практически не зависит от концентрации примеси
зависит от температуры
Лавинный пробой имеет место в (при)
(*ответ*) р-n-переходах с высокоомной базой
разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
отрицательном дифференциальном сопротивлении
р-n-переходах с низкоомной базой
Лазер представляет собой
(*ответ*) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности
вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором
газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод
микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала