Аналоговые интегральные схемы предназначены для
(*ответ*) обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции
для задержки сигналов
программирования и хранения цифровых массивов
обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
База биполярного транзистора - это
(*ответ*) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
Базой называется
(*ответ*) область, в которую инжектируются носители заряда
область, из которой инжектируются носители заряда
контакт металл - полупроводник
электронно-дырочный переход
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор
(*ответ*) с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (или более) выводами
с электрическим переходом и двумя (или более) выводами
барьерная емкость р-n перехода которых изменяется при изменении обратного напряжения
сконструированный на основе вырожденного полупроводника
В p-n переходе при обратном включении
(*ответ*) потенциальный барьер увеличится на напряжение U
(*ответ*) ток через p-n переход мал
потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U
дрейфовый поток уменьшается
В активном режиме зависимость тока коллектора от тока эмиттера
(*ответ*) практически линейна
обратно пропорциональна
квадратичная
гиперболическая
В выпрямительных диодах используется свойство
(*ответ*) односторонней проводимости р-n перехода
возможность работы на на низких частотах
небольшого времени перезарядки емкости
большой барьерной емкости р-n перехода
В диффузных биполярных транзисторах
(*ответ*) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
(*ответ*) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии
концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
В дрейфовых биполярных транзисторах
(*ответ*) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
(*ответ*) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии
В комбинированных ИС используются
(*ответ*) биполярные и полевые транзисторы одновременно
несколько транзисторов в одном корпусе
усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором
полевые транзисторы
В стабилитроне могут иметь место следующие типы электрического пробоя
(*ответ*) тоннельный
(*ответ*) лавинный
(*ответ*) смешанный
тепловой
В схеме с ОБ
(*ответ*) нет усиления по току
происходит усиление по току и по напряжению
нет усиления по напряжению
происходит усиление по току
В схеме с ОК
(*ответ*) происходит усиление по току и по мощности
происходит усиление по напряжению
нет усиления по току
происходит усиление по напряжению и по мощности