Открыл механизм электрического пробоя:
(*ответ*) К. Зенер
А. Эйнштейн
М. Фарадей
М. Кюри
Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления тока:
(*ответ*) да
нет
Очень слабая проводимость, которой обладает чистый полупроводник, называется собственной проводимостью:
(*ответ*) да
нет
Полярный транзистор состоит из:
(*ответ*) двух p-n-переходов
одного n-перехода
двух p-переходов
двух р- и двух n-переходов
При больших значениях базового тока условия для электронов благоприятнее:
(*ответ*) да
нет
Применение МОП-транзисторов не ограничивается в случае малых сигналов:
(*ответ*) да
нет
Промышленные технологии полной диэлектрической изоляции появились в:
(*ответ*) конце 90-х гг. ХХ в.
начале 90-х гг. ХХ в.
80-х гг. ХХ в.
конце XIX в.
Работа полупроводникового прибора определяется эффектами, имеющими место на границе между материалами p- и n-типа:
(*ответ*) да
нет
С ростом температуры сопротивление проводника увеличивается, тогда как у полупроводника оно падает:
(*ответ*) да
нет
Скоростные качества транзисторов определяются характерными работающими частотами:
(*ответ*) да
нет
Стабилитроны используются для стабилизации выходного напряжения в источниках питания:
(*ответ*) да
нет
Транзистор - прибор, управляемый током:
(*ответ*) да
нет
У р-канальных транзисторов с p-n-переходом основным носителем в канале являются дырки:
(*ответ*) да
нет
Фототранзистор - транзистор с прозрачным окном в корпусе:
(*ответ*) да
нет
Электронные усиливающие устройства называются активными компонентами:
(*ответ*) да
нет
Диффузия - ориентированное наращивание слоев, кристаллическая решетка которых повторяет структуру подложки:
(*ответ*) нет, диффузия не является ориентированным наращиванием слоев, кристаллическая решетка которых повторяет структуру подложки
да, диффузия - ориентированное наращивание слоев, кристаллическая решетка которых повторяет структуру подложки
Катодное распыление происходит в результате бомбардировки поверхности подложки сфокусированным потоком ионов:
(*ответ*) нет, катодное распыление не происходит в результате бомбардировки поверхности подложки сфокусированным потоком ионов
да, катодное распыление происходит в результате бомбардировки поверхности подложки сфокусированным потоком ионов