Полупроводник n-типа:
(*ответ*) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются электроны
полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы
полупроводник с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода
полупроводник, основным носителем заряда в котором являются дырки
Полупроводниковая схема:
(*ответ*) интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
Полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется
(*ответ*) стабистором
варикапом
диодом Шоттки
туннельным диодом
Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением, - это
(*ответ*) варикап
стабилитрон
стабистор
диод Шоттки
При инверсном режиме работы транзистора
(*ответ*) коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный - в прямом
При прямом включении p-n-перехода:
(*ответ*) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, дрейфовый ток уменьшается, а диффузный увеличивается
потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи увеличатся
потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, дрейфовый и диффузный токи увеличатся
потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи уменьшатся
Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного
(*ответ*) 2, 3
3, 4
1, 2
1, 4
Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется
(*ответ*) микропроцессором
арифметико-логическим устройством
функциональным преобразователем информации
контроллером
Работа, совершаемая силами поля по переносу единичного положительного заряда, называется
(*ответ*) потенциал
переход
пробой
инжекция
Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют
(*ответ*) режимом отсечки
ключевым
режимом насыщения
активным
Режим, соответствующий второму квадранту характеристик транзистора (uкб<0), называют
(*ответ*) режимом насыщения
ключевым
активным
режимом отсечки
Режим, соответствующий первому квадранту характеристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют
(*ответ*) активным
ключевым
режимом насыщения
режимом отсечки