Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как
(*ответ*) транзисторы
индуктивные
конденсаторы
резисторы
Для полевого транзистора выделяют три схемы включения с общим(-ей): 1) затвором; 2) базой; 3) истоком; 4) стоком; 5) коллектором; 6) эмиттером - из перечисленного
(*ответ*) 1, 3, 4
1, 5, 6
2, 3, 4
2, 5, 6
Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного
(*ответ*) 2, 4
2, 3
1, 4
1, 3
Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников постороннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного
(*ответ*) 1, 3
2, 3
1, 4
2, 4
Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой
(*ответ*) туннельный
механический
тепловой
лавинный
Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой
(*ответ*) лавинный
механический
тепловой
туннельный
Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой
(*ответ*) люкс-амперной
вольт-амперной
люмено-амперной
переходной
Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эквивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы
(*ответ*) 3, 4
2, 4
1, 3
1, 2
Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптическим каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного
(*ответ*) 1, 2, 4
1, 3, 5
2, 3, 4
1, 4, 5
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют
(*ответ*) светодиодом
стабилитроном
оптодиодом
фотодиодом
Инерционность полевого транзистора определяется в основном
(*ответ*) процессами перезаряда барьерной емкости р-n-перехода
поверхностными утечками в области выводов
большим сечением канала
малой скоростью основных носителей