Гибридные ИМС являются микросхемами, представляющими собой изолирующую подложку, на поверхности которой все элементы и межсоединения сформированы в виде послойно нанесенных пленок:
(*ответ*) нет
да
Динамическая помехоустойчивость является способностью микросхемы противостоять воздействию импульсной помехи, длительность которой значительно меньше среднего времени задержки передачи сигнала через микросхему:
(*ответ*) нет
да
Для БИС степень интеграции равна 3:
(*ответ*) да
нет
ИМС на биполярных транзисторах являются технологически проще, чем ИМС на МОП-транзисторах:
(*ответ*) нет
да
ИМС обладают высокой степенью надежности, что обеспечивается большим числом внутренних соединений:
(*ответ*) нет
да
Интегральная микросхема является микроэлектронным изделием, имеющим высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов:
(*ответ*) да
нет
Используя ПЛМ, можно подключить к любому элементу ИЛИ любую комбинацию вертикальных шин и проинвертировать выходы любых И:
(*ответ*) нет
да
К статическим параметрам микросхемы относится средняя потребляемая мощность:
(*ответ*) да
нет
К статическим параметрам микросхемы относятся допустимое напряжение статической помехи и время задержки распространения сигнала при включении микросхемы:
(*ответ*) нет
да
К типовым параметрам и характеристикам БМК относятся число ячеек на кристалле и число периферийных контактных площадок:
(*ответ*) да
нет
Технология пленочных ИМС позволяет выполнять только активные элементы:
(*ответ*) нет
да
Транзисторы, в случае гибридных микросхем, являются компонентами микросхемы:
(*ответ*) да
нет
Флеш-память является программируемым постоянным запоминающим устройством с электрической записью и электрическим стиранием информации:
(*ответ*) да
нет
Цифровые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции:
(*ответ*) нет
да
Электроны уходят с плавающего затвора в область истока при записи информации в ячейку памяти флеш- памяти:
(*ответ*) нет
да
В конструкции рентгеношаблона используют в качестве подложек мембраны микронной толщины:
(*ответ*) да
нет
В проекционной электронной литографии вычерчивается рисунок топологии с помощью электронного луча малого сечения, управляемого микропроцессором:
(*ответ*) нет
да
В процессе проведения диффузии в замкнутой системе загружают пластины проводника и источники примеси в кварцевую ампулу:
(*ответ*) да
нет
В установках непосредственного экспонирования фоторезиста применяются лазеры в литографических технологических процессах:
(*ответ*) да
нет