Канал транзистора является пассивной частью транзистора:
(*ответ*) нет
да
Крутизна характеризует управляющее действие истока:
(*ответ*) нет
да
МДП-транзисторы относятся к транзисторам с изолированным затвором:
(*ответ*) да
нет
МОП-транзисторы - транзисторы с изолированным затвором:
(*ответ*) да
нет
Общий электрод от контактов областей называется стоком:
(*ответ*) нет
да
Оптотранзистор уступает по быстродействию обычным транзисторам:
(*ответ*) нет
да
Основными статическими характеристиками транзистора с управляющим p-n-переходом являются выходные и характеристики прямой передачи:
(*ответ*) да
нет
Параметром транзистора с управляющим p-n- переходом является крутизна стокозатворной характеристики:
(*ответ*) да
нет
Параметры МДП-транзисторов зависят в большей мере от температуры, чем параметры биполярных транзисторов:
(*ответ*) нет
да
Параметры фотодиодов зависят от температуры:
(*ответ*) да
нет
Полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности спектрального состава падающего излучения, можно отнести к фоторезисторам:
(*ответ*) да
нет
Приборы, в которых лучистая энергия преобразуется в электрическую, являются фотоэлектрическими:
(*ответ*) да
нет
Светодиоды обладают малой инерционностью:
(*ответ*) да
нет
Светодиоды преобразуют электрическую энергию в энергию когерентного светового излучения:
(*ответ*) нет
да
Сигнализация является представлением результатов контроля или измерений:
(*ответ*) нет
да
Усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал:
(*ответ*) да
нет
Фотодиод работает только в режиме фотопреобразователя:
(*ответ*) нет
да
Чувствительность фототранзистора ниже чувствительности фотодиода:
(*ответ*) нет
да
Базовый матричный кристалл является матрицей нескоммутированных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки:
(*ответ*) да
нет
В гибридных микросхемах пассивные элементы, межсоединения и контактные площадки выполняются методом пленочной технологии:
(*ответ*) да
нет
В ИМС в основном применяют МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом:
(*ответ*) да
нет
В матричных БИС электрические соединения выполняются с помощью одноуровневой металлизации:
(*ответ*) нет
да
В основе конструкций ИМС лежит транзисторная структура:
(*ответ*) да
нет
В репрограммируемой логической матрице возможно стирание информации при обучении ультрафиолетовыми лучами:
(*ответ*) да
нет