Полупроводник р-типа - полопроводник в котором основными
носителями заряда являются дырки. Полупроводники р-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами.
Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И, Менделеева бор, алюминий индий, галлий, а донорными - группы V -фосфор, мышьяк,
Для полупроводниковых соединений типа A3B5 например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI - селен, теллур, а акцепторными - группы II - цинк, кадмий, ртуть.
В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвертым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.