Тип микропроцессоров, выполняющих преимущественно целочисленную обработку, - это
(*ответ*) сигнальные микропроцессоры
конвейерные микропроцессоры
микроконтроллеры
универсальные микропроцессоры
Тип микропроцессоров, используемых во встроенных системах управления, в том числе в бытовых приборах, - это
(*ответ*) микроконтроллеры
потоковые микропроцессоры
сигнальные микропроцессоры
универсальные микропроцессоры
Тип микропроцессоров, применяемых в массово-параллельных супер-ЭВМ, носит название «_»
(*ответ*) универсальные микропроцессоры
ассоциативные микропроцессоры
микроконтроллеры
сигнальные микропроцессоры
Тип микропроцессоров, применяемых в рабочих станциях, носит название «_»
(*ответ*) универсальные микропроцессоры
матричные микропроцессоры
микроконтроллеры
сигнальные микропроцессоры
Транспьютер имеет
(*ответ*) последовательные каналы связи
каналы прямого доступа в память
параллельные и последовательные каналы связи
параллельные каналы связи
Фиксированную разрядность имеют микропроцессоры
(*ответ*) однокристальные и многокристальные
многокристальные
микропрограммируемые
секционные
Фиксированную систему команд имеют микропроцессоры
(*ответ*) однокристальные и многокристальные
многокристальные
микропрограммируемые
секционные
Формулой "х-1-1-1" характеризуется тип DRAM, обозначаемый
(*ответ*) ВEDO DRAM
EDO DRAM
FPM DRAM
ЕDRAM
Формулой "х-2-2-2" характеризуется тип DRAM, обозначаемый
(*ответ*) EDO DRAM
ВEDO DRAM
FPM DRAM
SDRAM
Формулой "х-3-3-3" характеризуется тип DRAM, обозначаемый
(*ответ*) FPM DRAM
ВEDO DRAM
EDO DRAM
SDRAM
Хранение пpoграмм и данных в двух раздельных запоминающих устройствах подразумевается в архитектуре
(*ответ*) Гарвардской
MMP
SMP
Фон-Неймановской
Элемент FLASH-памяти отличается от МНОП-транзистора тем, что
(*ответ*) толщина оксидного слоя между затвором и каналом проводимости уменьшена более, чем в три раза
ширина канала проводимости уменьшена в три раза
ширина канала проводимости увеличена в три раза
толщина оксидного слоя между затвором и каналом проводимости увеличена более, чем в три раза